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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS61LV12816L-10BI

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Imagen IS61LV12816L-10BI

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61LV12816L-10BI

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Especificaciones

Número de pieza

IS61LV12816L-10BI
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.IS61LV12816L-10BI.pdf
2.IS61LV12816L-10BI.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

10ns
Suministro de voltaje

3.135 V ~ 3.6 V
Tecnología

SRAM - Asynchronous
Paquete del dispositivo

48-miniBGA (6x8)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

48-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2 (1 Year)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

2Mb (128K x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 10ns 48-miniBGA (6x8)
Tiempo de acceso

10ns

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