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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS61LV12816L-10TL-TR
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2289678Imagen IS61LV12816L-10TL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61LV12816L-10TL-TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS61LV12816L-10TL-TR
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.IS61LV12816L-10TL-TR.pdf
    2.IS61LV12816L-10TL-TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    10ns
  • Suministro de voltaje
    3.135 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SRAM - Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Mb (128K x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 10ns 44-TSOP II
  • Tiempo de acceso
    10ns

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Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA

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Descripción: IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

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Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

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Descripción: IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP

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