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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS61LV12824-8TQ

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IS61LV12824-8TQ

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144+

$8.92

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Especificaciones

Número de pieza

IS61LV12824-8TQ
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.IS61LV12824-8TQ.pdf
2.IS61LV12824-8TQ.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

8ns
Suministro de voltaje

3.135 V ~ 3.6 V
Tecnología

SRAM - Asynchronous
Paquete del dispositivo

100-TQFP (14x20)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

100-LQFP
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2 (1 Year)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

3Mb (128K x 24)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Asynchronous Memory IC 3Mb (128K x 24) Parallel 8ns 100-TQFP (14x20)
Tiempo de acceso

8ns

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