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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS61LV6416-10TI-TR

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Imagen IS61LV6416-10TI-TR

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61LV6416-10TI-TR

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Especificaciones

Número de pieza

IS61LV6416-10TI-TR
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1.IS61LV6416-10TI-TR.pdf
2.IS61LV6416-10TI-TR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

10ns
Suministro de voltaje

3.135 V ~ 3.6 V
Tecnología

SRAM - Asynchronous
Paquete del dispositivo

44-TSOP II
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

2 (1 Year)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

1Mb (64K x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 10ns 44-TSOP II
Tiempo de acceso

10ns

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