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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS61NLP25672-200B1
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2376219Imagen IS61NLP25672-200B1ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61NLP25672-200B1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS61NLP25672-200B1
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    1.IS61NLP25672-200B1.pdf
    2.IS61NLP25672-200B1.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Tecnología
    SRAM - Synchronous
  • Paquete del dispositivo
    209-LFBGA (14x22)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    209-BGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    18Mb (256K x 72)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (256K x 72) Parallel 200MHz 3.1ns 209-LFBGA (14x22)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Tiempo de acceso
    3.1ns

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Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP

Fabricantes: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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