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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS61NVF51236-7.5B3
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IS61NVF51236-7.5B3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS61NVF51236-7.5B3
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IS61NVF51236-7.5B3.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    2.375 V ~ 2.625 V
  • Tecnología
    SRAM - Synchronous
  • Paquete del dispositivo
    165-TFBGA (13x15)
  • Serie
    -
  • Paquete / Cubierta
    165-TBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    18Mb (512K x 36)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 117MHz 7.5ns 165-TFBGA (13x15)
  • Frecuencia de reloj
    117MHz
  • Tiempo de acceso
    7.5ns

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Descripción: IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61NVF51236-6.5B3-TR

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Descripción: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

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Descripción: IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61NVF51236-7.5TQI

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