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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS61NVP51236-200B3

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IS61NVP51236-200B3

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Especificaciones

Número de pieza

IS61NVP51236-200B3
Fabricante / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IS61NVP51236-200B3.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

2.375 V ~ 2.625 V
Tecnología

SRAM - Synchronous
Paquete del dispositivo

165-TFBGA (13x15)
Serie

-
Paquete / Cubierta

165-TBGA
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

18Mb (512K x 36)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15)
Frecuencia de reloj

200MHz
Tiempo de acceso

3.1ns

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