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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS62WV51216BLL-55BI-TR
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4347819Imagen IS62WV51216BLL-55BI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS62WV51216BLL-55BI-TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS62WV51216BLL-55BI-TR
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    1.IS62WV51216BLL-55BI-TR.pdf
    2.IS62WV51216BLL-55BI-TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    55ns
  • Suministro de voltaje
    2.5 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SRAM - Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    48-miniBGA (6x8)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    48-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    8Mb (512K x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mb (512K x 16) Parallel 55ns 48-miniBGA (6x8)
  • Tiempo de acceso
    55ns

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Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

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Descripción: IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA

Fabricantes: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descripción: IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP

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