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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > IS66WV51216EBLL-55BLI
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680701Imagen IS66WV51216EBLL-55BLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS66WV51216EBLL-55BLI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IS66WV51216EBLL-55BLI
  • Fabricante / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC PSRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IS66WV51216EBLL-55BLI.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    55ns
  • Suministro de voltaje
    2.5 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    PSRAM (Pseudo SRAM)
  • Paquete del dispositivo
    48-TFBGA (6x8)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    48-TFBGA
  • Otros nombres
    706-1399
    IS66WV51216EBLL-55BLI-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    8Mb (512K x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    PSRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 8Mb (512K x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (6x8)
  • Tiempo de acceso
    55ns

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Descripción: IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

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Descripción: IC PSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

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