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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-IGBTs-escoja > IXBA16N170AHV

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Imagen IXBA16N170AHV

IXYS Corporation

IXBA16N170AHV

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Especificaciones

Número de pieza

IXBA16N170AHV
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

REVERSE CONDUCTING IGBT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXBA16N170AHV.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

1700V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A
Condición de prueba

1360V, 10A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

15ns/250ns
Cambio de Energía

2.5mJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-263HV
Serie

BIMOSFET™
Tiempo de recuperación inversa (trr)

25ns
Potencia - Max

150W
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
puerta de carga

65nC
Descripción detallada

IGBT 1700V 16A 150W Surface Mount TO-263HV
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

40A
Corriente - colector (Ic) (Max)

16A

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