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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFH10N100P

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Imagen IXFH10N100P

IXYS Corporation

IXFH10N100P

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Especificaciones

Número de pieza

IXFH10N100P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFH10N100P.pdf
VGS (th) (Max) @Id

6.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247AD (IXFH)
Serie

HiPerFET™, PolarP2™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.4 Ohm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

380W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

Q4374359
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3030pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 10A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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