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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFH56N30X3

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Imagen IXFH56N30X3

IXYS Corporation

IXFH56N30X3

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Especificaciones

Número de pieza

IXFH56N30X3
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFH56N30X3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 1.5mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

27 mOhm @ 28A, 10V
La disipación de energía (máximo)

320W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3.75nF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

300V
Descripción detallada

N-Channel 300V 56A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

56A (Tc)

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