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IXFL34N100

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Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

25+

$33.802

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

IXFL34N100
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFL34N100.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOPLUS264™
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

280 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

550W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

ISOPLUS264™
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

380nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 30A (Tc) 550W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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