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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFN150N65X2

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Imagen IXFN150N65X2

IXYS Corporation

IXFN150N65X2

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Especificaciones

Número de pieza

IXFN150N65X2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFN150N65X2.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 8mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-227B
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

17 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1040W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Otros nombres

632512
IXFN150N65X2X
IXFN150N65X2X-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

21000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

355nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 145A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

145A (Tc)

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