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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFP22N65X2M

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Imagen IXFP22N65X2M

IXYS Corporation

IXFP22N65X2M

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Especificaciones

Número de pieza

IXFP22N65X2M
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXFP22N65X2M.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 1.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220 Isolated Tab
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

145 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo)

37W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2190pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

37nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 22A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

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