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Imagen IXFP8N85X

IXYS Corporation

IXFP8N85X

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Especificaciones

Número de pieza

IXFP8N85X
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXFP8N85X.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB (IXFP)
Serie

HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

850 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

200W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

654pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

850V
Descripción detallada

N-Channel 850V 8A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB (IXFP)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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