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Imagen IXFV30N60P

IXYS Corporation

IXFV30N60P

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Especificaciones

Número de pieza

IXFV30N60P
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFV30N60P.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 4mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PLUS220
Serie

HiPerFET™, PolarHT™
RDS (Max) @Id, Vgs

240 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

500W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3, Short Tab
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

82nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 30A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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