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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-IGBTs-escoja > IXGJ40N60C2D1

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Imagen IXGJ40N60C2D1

IXYS Corporation

IXGJ40N60C2D1

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Especificaciones

Número de pieza

IXGJ40N60C2D1
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 600V 75A 300W TO268
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXGJ40N60C2D1.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A
Condición de prueba

400V, 30A, 3 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

18ns/90ns
Cambio de Energía

200µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-268
Serie

HiPerFAST™
Tiempo de recuperación inversa (trr)

25ns
Potencia - Max

300W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3, Short Tab
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

PT
puerta de carga

95nC
Descripción detallada

IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole TO-268
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

200A
Corriente - colector (Ic) (Max)

75A
Número de pieza base

IXG*40N60

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