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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-IGBTs-escoja > IXGT50N90B2D1

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Imagen IXGT50N90B2D1

IXYS Corporation

IXGT50N90B2D1

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Especificaciones

Número de pieza

IXGT50N90B2D1
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 900V 75A 400W TO268
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx)

900V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A
Condición de prueba

-
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

20ns/350ns
Cambio de Energía

4.7mJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-268
Serie

HiPerFAST™
Tiempo de recuperación inversa (trr)

200ns
Potencia - Max

400W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

PT
puerta de carga

135nC
Descripción detallada

IGBT PT 900V 75A 400W Surface Mount TO-268
Corriente - colector (Ic) (Max)

75A
Número de pieza base

IXG*50N90

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