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Imagen IXTA182N055T7

IXYS Corporation

IXTA182N055T7

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Especificaciones

Número de pieza

IXTA182N055T7
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTA182N055T7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263-7 (IXTA..7)
Serie

TrenchMV™
RDS (Max) @Id, Vgs

5 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

360W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4850pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

114nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 182A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA..7)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

182A (Tc)

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