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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTA3N100D2HV

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Imagen IXTA3N100D2HV

IXYS Corporation

IXTA3N100D2HV

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Especificaciones

Número de pieza

IXTA3N100D2HV
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXTA3N100D2HV.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263HV
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

6 Ohm @ 1.5A, 0V
La disipación de energía (máximo)

125W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

37.5nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

0V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 3A (Tj) 125W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tj)

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