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Imagen IXTH2N170D2

IXYS Corporation

IXTH2N170D2

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Especificaciones

Número de pieza

IXTH2N170D2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTH2N170D2.pdf
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247 (IXTH)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

6.5 Ohm @ 1A, 0V
La disipación de energía (máximo)

568W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3650pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

110nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

0V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1700V
Descripción detallada

N-Channel 1700V 2A (Tj) 568W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tj)

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