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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTK200N10L2

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Imagen IXTK200N10L2

IXYS Corporation

IXTK200N10L2

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Especificaciones

Número de pieza

IXTK200N10L2
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTK200N10L2.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 3mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-264 (IXTK)
Serie

Linear L2™
RDS (Max) @Id, Vgs

11 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1040W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-264-3, TO-264AA
Otros nombres

Q7017004
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

23000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

540nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 200A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

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