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Imagen IXTK5N250

IXYS Corporation

IXTK5N250

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Especificaciones

Número de pieza

IXTK5N250
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 2500V 5A TO264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTK5N250.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-264 (IXTK)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

8.8 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

960W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8560pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

200nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

2500V
Descripción detallada

N-Channel 2500V 5A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

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