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Imagen IXTQ102N20T

IXYS Corporation

IXTQ102N20T

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Especificaciones

Número de pieza

IXTQ102N20T
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 1mA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-3P
Serie

TrenchHV™
RDS (Max) @Id, Vgs

23 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

750W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

114nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 102A (Tc) 750W (Tc) Through Hole TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

102A (Tc)

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