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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTT3N200P3HV

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Imagen IXTT3N200P3HV

IXYS Corporation

IXTT3N200P3HV

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Especificaciones

Número de pieza

IXTT3N200P3HV
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo por exención / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXTT3N200P3HV.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-268
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

8 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

520W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free by exemption / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

2000V
Descripción detallada

N-Channel 2000V 3A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

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