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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-IGBTs-escoja > IXXQ30N60B3M

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Imagen IXXQ30N60B3M

IXYS Corporation

IXXQ30N60B3M

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30+

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Especificaciones

Número de pieza

IXXQ30N60B3M
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

IXXQ30N60B3M.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 24A
Condición de prueba

400V, 24A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

23ns/150ns
Cambio de Energía

550µJ (on), 800µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-3P
Serie

XPT™, GenX3™
Tiempo de recuperación inversa (trr)

36ns
Potencia - Max

90W
Paquete / Cubierta

TO-3P-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
puerta de carga

39nC
Descripción detallada

IGBT 600V 33A 90W Through Hole TO-3P
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

140A
Corriente - colector (Ic) (Max)

33A

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