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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-IGBTs-escoja > IXYP20N65C3D1M

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Imagen IXYP20N65C3D1M

IXYS Corporation

IXYP20N65C3D1M

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Especificaciones

Número de pieza

IXYP20N65C3D1M
Fabricante / Marca

IXYS / Littelfuse
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 650V 18A 50W TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXYP20N65C3D1M.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A
Condición de prueba

400V, 20A, 20 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

19ns/80ns
Cambio de Energía

430µJ (on), 350µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

GenX3™, XPT™
Tiempo de recuperación inversa (trr)

30ns
Potencia - Max

50W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

PT
puerta de carga

30nC
Descripción detallada

IGBT PT 650V 18A 50W Through Hole TO-220AB
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

105A
Corriente - colector (Ic) (Max)

18A

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