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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-IGBTs-módulos > MIAA10WE600TMH
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MIAA10WE600TMH

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MIAA10WE600TMH
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MODULE IGBT CBI
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.6V @ 15V, 10A
  • Paquete del dispositivo
    MiniPack2
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    70W
  • Paquete / Cubierta
    MiniPack2
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • termistor NTC
    Yes
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    0.45nF @ 25V
  • Entrada
    Single Phase Bridge Rectifier
  • Tipo de IGBT
    NPT
  • Descripción detallada
    IGBT Module NPT Three Phase Inverter with Brake 600V 18A 70W Chassis Mount MiniPack2
  • Corriente - corte del colector (Max)
    600µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    18A
  • Configuración
    Three Phase Inverter with Brake
  • Número de pieza base
    MIAA10W
VS-GT100NA120UX

VS-GT100NA120UX

Descripción: IGBT 1200V 134A 463W SOT-227

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
VS-GB300NH120N

VS-GB300NH120N

Descripción: IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
IXBN75N170

IXBN75N170

Descripción: IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B

Fabricantes: IXYS Corporation
Existencias disponibles
MIAA15WE600TMH

MIAA15WE600TMH

Descripción: MODULE IGBT CBI

Fabricantes: IXYS Corporation
Existencias disponibles
FS25R12W1T4BOMA1

FS25R12W1T4BOMA1

Descripción: IGBT MODULE 1200V 25A

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
MIAA15WD600TMH

MIAA15WD600TMH

Descripción: MODULE IGBT CBI

Fabricantes: IXYS Corporation
Existencias disponibles
MIAA20WB600TMH

MIAA20WB600TMH

Descripción: MODULE IGBT CBI

Fabricantes: IXYS Corporation
Existencias disponibles
VS-GB100TP120U

VS-GB100TP120U

Descripción: IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
MIA24003ST

MIA24003ST

Descripción: RF ANT 2.4GHZ DOME N FEM PAN MT

Fabricantes: Laird Technologies - Antennas
Existencias disponibles
MIAA10WD600TMH

MIAA10WD600TMH

Descripción: MODULE IGBT CBI

Fabricantes: IXYS Corporation
Existencias disponibles
FMG2G100US60

FMG2G100US60

Descripción: IGBT MOLDING 600V 100A 7PM-GA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
MIAA10WF600TMH

MIAA10WF600TMH

Descripción: MODULE IGBT CBI

Fabricantes: IXYS Corporation
Existencias disponibles
MIAA10WB600TMH

MIAA10WB600TMH

Descripción: MODULE IGBT CBI

Fabricantes: IXYS Corporation
Existencias disponibles
MIAA20WE600TMH

MIAA20WE600TMH

Descripción: MODULE IGBT CBI

Fabricantes: IXYS Corporation
Existencias disponibles
APTGF150A120T3AG

APTGF150A120T3AG

Descripción: POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP3

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
MIAA15WB600TMH

MIAA15WB600TMH

Descripción: MODULE IGBT CBI

Fabricantes: IXYS Corporation
Existencias disponibles
MIA24003

MIA24003

Descripción: RF ANT 2.4GHZ DOME N FEM PAN MT

Fabricantes: Laird Technologies - Antennas
Existencias disponibles
FF45R12W1J1B11BPSA1

FF45R12W1J1B11BPSA1

Descripción: IGBT MODULE 1200V 45A EASY1B

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
MIAA20WD600TMH

MIAA20WD600TMH

Descripción: MODULE IGBT CBI

Fabricantes: IXYS Corporation
Existencias disponibles
FF600R12ME4CBOSA1

FF600R12ME4CBOSA1

Descripción: IGBT MODULE 1200V 600A

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles

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