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MII100-12A3

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6+
$68.623
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Especificaciones
  • Número de pieza
    MII100-12A3
  • Fabricante / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MII100-12A3.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 75A
  • Paquete del dispositivo
    Y4-M5
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    560W
  • Paquete / Cubierta
    Y4-M5
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • termistor NTC
    No
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    5.5nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    NPT
  • Descripción detallada
    IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 135A 560W Chassis Mount Y4-M5
  • Corriente - corte del colector (Max)
    5mA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    135A
  • Configuración
    Half Bridge
  • Número de pieza base
    MII

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RFQ
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Fabricantes: IXYS Corporation
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Fabricantes: IXYS Corporation
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Fabricantes: IXYS Corporation
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Fabricantes: IXYS Corporation
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Descripción: MOD IGBT MED PWR 62MM-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

Fabricantes: Microsemi
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Fabricantes: Microsemi
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Descripción: MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB

Fabricantes: IXYS Corporation
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Descripción: MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB

Fabricantes: IXYS Corporation
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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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