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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > T-TD1R4N60P 11
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T-TD1R4N60P 11

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Especificaciones
  • Número de pieza
    T-TD1R4N60P 11
  • Fabricante / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Vgs (Max)
    -
  • Tecnología
    -
  • Paquete del dispositivo
    -
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    -
  • La disipación de energía (máximo)
    -
  • Paquete / Cubierta
    -
  • Otros nombres
    T-TD1R4N60P11
  • Temperatura de funcionamiento
    -
  • Tipo de montaje
    -
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo FET
    -
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    -
  • Descripción detallada
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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IPA045N10N3GXKSA1

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