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IXDI602SI

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IXDI602SI
  • Fabricante / Marca
    IXYS Integrated Circuits Division
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IXDI602SI.pdf
  • Suministro de voltaje
    4.5 V ~ 35 V
  • Paquete del dispositivo
    8-SOIC-EP
  • Serie
    -
  • Tiempo de subida / bajada (típico)
    7.5ns, 6.5ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • estilo de la llave
    2
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    7 Weeks
  • Tensión lógica - VIL, VIH
    0.8V, 3V
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Inverting
  • Tipo de Puerta
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • Configuración impulsada
    Low-Side
  • Descripción detallada
    Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP
  • Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero)
    2A, 2A
  • Corriente de carga
    Independent

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