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Imagen IXFH21N50F

IXYS RF

IXFH21N50F

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Especificaciones

Número de pieza

IXFH21N50F
Fabricante / Marca

IXYS RF
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 21A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IXFH21N50F.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247 (IXFH)
Serie

HiPerRF™
RDS (Max) @Id, Vgs

250 mOhm @ 10.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

77nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 21A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

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