International Rectifier (Infineon Technologies)

AUIRF7379Q

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Especificaciones

Número de pieza

AUIRF7379Q
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AUIRF7379Q.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

45 mOhm @ 5.8A, 10V
Potencia - Max

2.5W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

SP001518462
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A, 4.3A

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Descripción:

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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