International Rectifier (Infineon Technologies)

AUIRFU8403

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Especificaciones

Número de pieza

AUIRFU8403
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AUIRFU8403.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.9V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.1 mOhm @ 76A, 10V
La disipación de energía (máximo)

99W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

IRAUIRFU8403
SP001518276
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3171pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

99nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 100A (Tc) 99W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 195A TO262

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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