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727914Imagen BA892H6127XTSA1International Rectifier (Infineon Technologies)

BA892H6127XTSA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BA892H6127XTSA1
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE RF SW 35V 100MA SCD80
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    35V
  • Paquete del dispositivo
    SCD-80
  • Serie
    -
  • Resistencia @ Si, F
    500 mOhm @ 10mA, 100MHz
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-80
  • Otros nombres
    BA 892 H6127
    BA 892 H6127-ND
    BA892H6127XTSA1TR
    SP000745042
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard - Single
  • Descripción detallada
    RF Diode Standard - Single 35V 100mA SCD-80
  • Corriente - Max
    100mA
  • Capacitancia Vr, F
    1.1pF @ 3V, 1MHz
  • Número de pieza base
    BA892
BA82902YFV-CE2

BA82902YFV-CE2

Descripción: AUTOMOTIVE INTEGRATED EMI FILTER

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BA89502VH6327XTSA1

BA89502VH6327XTSA1

Descripción: DIODE GEN PURP SC79-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
BA891,115

BA891,115

Descripción: DIODE SWITCH BAND 35V SOD-523

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
Existencias disponibles
BA89202VH6327XTSA1

BA89202VH6327XTSA1

Descripción: DIODE RF SW 35V 100MA SC79

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
BA82904YF-CE2

BA82904YF-CE2

Descripción: AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BA8522RFVM-TR

BA8522RFVM-TR

Descripción: IC OPAMP GP 6MHZ 8MSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BA885E7631HTMA1

BA885E7631HTMA1

Descripción: DIODE RF SOT23

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
BA82902YFJ-CE2

BA82902YFJ-CE2

Descripción: AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BA892H6770XTSA1

BA892H6770XTSA1

Descripción: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
BA82904YFVM-CTR

BA82904YFVM-CTR

Descripción: EXCELLENT EMI CHARACTERISTICS GR

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BA8522RFV-E2

BA8522RFV-E2

Descripción: IC OPAMP GP 6MHZ 8SSOPB

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BA82902YFVJ-CE2

BA82902YFVJ-CE2

Descripción: AUTOMOTIVE EXCELLENT EMI CHARACT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BA895H6327XTSA1

BA895H6327XTSA1

Descripción: DIODE RF SW 50V 50MA SCD80

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
BA885E6327HTSA1

BA885E6327HTSA1

Descripción: DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
BA8522RF-E2

BA8522RF-E2

Descripción: IC OPAMP GP 6MHZ 8SOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BA8391G-TR

BA8391G-TR

Descripción: IC COMPARATOR OPEN 5-SSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
BA89202VH6127XTSA1

BA89202VH6127XTSA1

Descripción: DIODE RF SW 35V 100MA SC79

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
BA892H6433XTMA1

BA892H6433XTMA1

Descripción: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
BA89202VH6433XTMA1

BA89202VH6433XTMA1

Descripción: DIODE RF SW 35V 100MA SC79

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Existencias disponibles
BA892H6327XTSA1

BA892H6327XTSA1

Descripción: DIODE RF SW 35V 100MA SCD80

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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