BAS116E6327HTSA1

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Especificaciones

Número de pieza

BAS116E6327HTSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BAS116E6327HTSA1.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.25V @ 150mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

80V
Paquete del dispositivo

SOT-23-3
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

1.5µs
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

BAS 116 E6327CT
BAS 116 E6327CT-ND
BAS116E6327HTSA1CT
Temperatura de funcionamiento - Junction

150°C (Max)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 80V 250mA (DC) Surface Mount SOT-23-3
Corriente - Fuga inversa a Vr

5nA @ 75V
Corriente - rectificada media (Io)

250mA (DC)
Capacitancia Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz
Número de pieza base

BAS116

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BAS101,215

Descripción: DIODE GEN PURP 300V 200MA SOT23

Fabricantes: Nexperia

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