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BCR 133 B6327

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Especificaciones

Número de pieza

BCR 133 B6327
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BCR 133 B6327.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SOT-23-3
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

BCR 133 B6327-ND
BCR133B6327
BCR133B6327XT
SP000056346
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

130MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 130MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

BCR133

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