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7063661Imagen BCR198WE6327BTSA1International Rectifier (Infineon Technologies)

BCR198WE6327BTSA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BCR198WE6327BTSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BCR198WE6327BTSA1.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo de transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    PG-SOT323-3
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Potencia - Max
    250mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-70, SOT-323
  • Otros nombres
    BCR 198W E6327
    BCR 198W E6327-ND
    BCR198WE6327
    BCR198WE6327BTSA1TR
    BCR198WE6327XT
    SP000010824
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    190MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 190MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    70 @ 5mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número de pieza base
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Descripción: TRIAC 800V 1A

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