International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC042NE7NS3GATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSC042NE7NS3GATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSC042NE7NS3GATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.8V @ 91µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

4.2 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 125W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSC042NE7NS3 GDKR
BSC042NE7NS3 GDKR-ND
BSC042NE7NS3GATMA1DKR
BSC042NE7NS3GATMA1DKR-NDTR-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 37.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

69nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

75V
Descripción detallada

N-Channel 75V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 100A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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