2030793

International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC100N06LS3GATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSC100N06LS3GATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSC100N06LS3GATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 23µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

10 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 50W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSC100N06LS3 G
BSC100N06LS3 G-ND
BSC100N06LS3 GTR
BSC100N06LS3 GTR-ND
BSC100N06LS3G
BSC100N06LS3GATMA1TR
SP000453664
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

45nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta), 50A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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