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BSM100GB120DN2HOSA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BSM100GB120DN2HOSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 2 MED POWER 62MM-1
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    3V @ 15V, 100A
  • Paquete del dispositivo
    Module
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    800W
  • Paquete / Cubierta
    Module
  • Otros nombres
    BSM100GB120DN2
    SP000100720
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • termistor NTC
    No
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    6.5nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • Descripción detallada
    IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 800W Chassis Mount Module
  • Corriente - corte del colector (Max)
    2mA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    150A
  • Configuración
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