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BSM25GD120DN2BOSA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSM25GD120DN2BOSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 25A
Paquete del dispositivo

Module
Serie

-
Potencia - Max

200W
Paquete / Cubierta

Module
Otros nombres

BSM25GD120DN2
SP000100370
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
termistor NTC

No
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce

1.65nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
Descripción detallada

IGBT Module Full Bridge 1200V 35A 200W Chassis Mount Module
Corriente - corte del colector (Max)

800µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

35A
Configuración

Full Bridge

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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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