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BSM25GD120DN2BOSA1

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10+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    BSM25GD120DN2BOSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / Cumple con RoHS
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    3V @ 15V, 25A
  • Paquete del dispositivo
    Module
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    200W
  • Paquete / Cubierta
    Module
  • Otros nombres
    BSM25GD120DN2
    SP000100370
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • termistor NTC
    No
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    1.65nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • Descripción detallada
    IGBT Module Full Bridge 1200V 35A 200W Chassis Mount Module
  • Corriente - corte del colector (Max)
    800µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    35A
  • Configuración
    Full Bridge

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Descripción: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

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Descripción: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

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Descripción: IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

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Descripción: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

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Descripción: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

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Descripción: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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Descripción: MODULE IGBT 1700V

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Descripción: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

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Descripción: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

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