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3667620Imagen BSO080P03NS3GXUMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO080P03NS3GXUMA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BSO080P03NS3GXUMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BSO080P03NS3GXUMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.1V @ 150µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    PG-DSO-8
  • Serie
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    8 mOhm @ 14.8A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.6W (Ta)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    BSO080P03NS3 GCT
    BSO080P03NS3 GCT-ND
    BSO080P03NS3GXUMA1CT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    6750pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    81nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    P-Channel 30V 12A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

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