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6318454Imagen BSO615NGHUMA1International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO615NGHUMA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BSO615NGHUMA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BSO615NGHUMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2V @ 20µA
  • Paquete del dispositivo
    PG-DSO-8
  • Serie
    SIPMOS®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
  • Potencia - Max
    2W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    BSO615N G
    BSO615N G-ND
    BSO615NG
    BSO615NGHUMA1TR
    BSO615NGINTR-ND
    BSO615NGT
    BSO615NGXT
    BSO615NT
    BSO615NXTINTR
    BSO615NXTINTR-ND
    SP000216316
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    380pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2.6A
  • Número de pieza base
    BSO615

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