International Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ0904NSIATMA1

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Especificaciones

Número de pieza

BSZ0904NSIATMA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BSZ0904NSIATMA1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TSDSON-8-FL
Serie

OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

4 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Ta), 37W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

BSZ0904NSIATMA1CT
BSZ0904NSICT
BSZ0904NSICT-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1463pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Body)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta), 40A (Tc)

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