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6341890Imagen BTS282Z E3230International Rectifier (Infineon Technologies)

BTS282Z E3230

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BTS282Z E3230
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BTS282Z E3230.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2V @ 240µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    P-TO220-7-230
  • Serie
    TEMPFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    6.5 mOhm @ 36A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    300W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-7
  • Otros nombres
    BTS282Z E3230-ND
    BTS282ZE3230
    BTS282ZE3230AKSA1
    BTS282ZE3230NK
    SP000012357
    SP000457996
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4800pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    232nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    Temperature Sensing Diode
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    49V
  • Descripción detallada
    N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole P-TO220-7-230
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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