International Rectifier (Infineon Technologies)

BUZ32 H

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Especificaciones

Número de pieza

BUZ32 H
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BUZ32 H.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PG-TO-220-3
Serie

SIPMOS®
RDS (Max) @Id, Vgs

400 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

75W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

BUZ32 H-ND
BUZ32H
BUZ32HXKSA1
SP000682998
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 9.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A (Tc)

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BUZ31HXKSA1

Descripción: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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