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FS150R17N3E4B11BOSA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FS150R17N3E4B11BOSA1
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT MODULE VCES 650V 150A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    FS150R17N3E4B11BOSA1.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1700V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 150A
  • Paquete del dispositivo
    Module
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    835W
  • Paquete / Cubierta
    Module
  • Otros nombres
    FS150R17N3E4_B11
    FS150R17N3E4_B11-ND
    SP000880990
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C
  • termistor NTC
    Yes
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce
    13.5nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • Descripción detallada
    IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1700V 150A 835W Chassis Mount Module
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1mA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    150A
  • Configuración
    Three Phase Inverter

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Descripción: IGBT MODULE VCES 650V 150A

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