FS75R07N2E4B11BOSA1

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Especificaciones

Número de pieza

FS75R07N2E4B11BOSA1
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FS75R07N2E4B11BOSA1.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 75A
Paquete del dispositivo

Module
Serie

-
Potencia - Max

250W
Paquete / Cubierta

Module
Otros nombres

FS75R07N2E4_B11
SP000843936
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C
termistor NTC

Yes
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce

4.6nF @ 25V
Entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
Descripción detallada

IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 650V 75A 250W Chassis Mount Module
Corriente - corte del colector (Max)

1mA
Corriente - colector (Ic) (Max)

75A
Configuración

Three Phase Inverter

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Descripción: IC CLOCK GEN PLL PROGR 16-SOIC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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